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涉嫌侵犯FinFET专利 三星、高通、GF在韩被告

更新日期：2021-09-30

来源：系统部落

除了智能手机知名之外，三星还是全球重要的半导体公司，在2016年TOP20半导体公司中营收排名第二，仅次于Intel，领先于TSMC台积电。

在FinFET代工上，三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺，不仅为高通代工骁龙820/821处理器，还把14nm工艺工艺授权给了AMD好基友GlobalFoundries公司。

三星为何在FinFET工艺上领先？TSMC早前指责三星剽窃了他们的工艺技术，现在韩国KAIST（韩国科学与技术学院）把三星告上了法庭，指控他们侵犯了KAIST的FinFET专利，一同挨告的还有高通和GlobalFoundries两家。

涉嫌侵犯FinFET专利 三星、高通、GF在韩被告

虽然普通人没听过KAIST（韩国科学与技术学院）的名头，不过他们去年是非美国院校在美国申请专利第二多的高校，申请了105项专利，排名第一的则是中国清华大学，申请了185项专利，因此KAIST在科研实力上还是很有底气的，他们这次通过管理专利的子公司KAIST IP在美国德州联邦法院提起了法律诉讼，指控三星、GF及高通侵犯了他们编号为6885055的美国专利——一种双栅极FinFET设备及其制造方法。

根据KAIST所述，2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术，三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后，三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲，获得了这种专利技术。

KASIT IP指出，三星盗用Lee教授的技术可以节省大量开发时间和成本，但却没有支付任何专利费。他们指责三星还在持续侵犯该技术，丝毫不考虑Lee教授的权益或者适当的补偿。

由于三星的14nm FinFET工艺不仅自己用，还授权给了GlobalFoundries公司，并为高通公司代工处理器，因此后面两家也一起被告上了法庭。

对于这些指控，三星公司表示正在调查指控情况，他们强调从2000年代初期就开始研发3D半导体技术，拥有FinFET相关专利。

PS：早前TSMC指责三星挖走了TSMC前研发部门高管Liang Mong-song，后者带着技术资料跳槽，他们认为三星在14nm FinFET工艺上进展迅速就是靠着TSMC的技术，不过TSMC跟三星之间只是打了嘴仗，TSMC并没有起诉三星。这次KAIST不同了，直接向法院起诉了，显然是有备而来。

另外，FinFET技术的发明人是胡正明教授，不知道他申请了多少专利。